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石英晶體

石英的主要成份是SiO2,它具有低應力雙折射和高平均折射率,主要應用波段是200~2500nm。由于具有優(yōu)良的光學特性,廣泛應用于電子工業(yè),精密光學和光通訊設備。...


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產(chǎn)品介紹

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  石英的主要成份是SiO2,它具有低應力雙折射和高平均折射率,主要應用波段是200~2500nm。由于具有優(yōu)良的光學特性,廣泛應用于電子工業(yè),精密光學和光通訊設備。
 

石英晶體的主要性能參數(shù)

生長方法

水熱法

晶體結(jié)構(gòu)

六方

晶格常數(shù)

a=4.914Å    c=5.405 Å

熔點(

1610℃(相轉(zhuǎn)變點:573.1℃

密度

2.684g/cm3

硬度

7mohs

熱熔

0.18cal/gm

熱導率

0.0033cal/cm℃

熱電常數(shù)

1200uv/℃300℃

折射率

1.544

熱膨脹系數(shù)

α1113.71×106/ ℃ α337.48×106 /℃

Q

1.8×106 min

聲速、聲表級

3160m/sec

頻率常數(shù)

1661kHz/mm

壓電偶合

K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14

晶向

Y、XZ切,在30º~42.75 º ±5分范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)任意值 
主定位邊:根據(jù)客戶要求定方向±30
 
次定位邊:根據(jù)客戶要求定方向
 
 晶:位于中心,寬度<5mm,高度>66mm

拋光面

外延拋光:單拋或雙拋Ra<10&Aring;
工作區(qū)域:基片直徑
-3mm 
  度:&Phi;3&Prime;<20um,
&Phi;4&Prime;<30um
工作區(qū)域無崩邊,在邊緣,崩邊寬度
<0.5mm
坑和劃痕:每片<3,每100<20

標準厚度

0.5mm&plusmn;0.05mm TTV<5um

標準直徑

&Phi;2&Prime;(50.8mm)、&Phi;3&Prime;(76.2mm)&Phi;4&Prime;(100mm)&plusmn;0.2mm 
主定位邊:
22&plusmn;1.5mm (&Phi;3&Prime;) 32&plusmn;3.0 (&Phi;4&Prime;)
次定位邊:10mm&plusmn;1.5mm




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